射頻電子領(lǐng)域
Radio Frequency Electronics
基于GaN材料的射頻器件，具有高功率、高效率、耐高溫、抗輻照等優(yōu)勢(shì)，是迄今最理想的半導(dǎo)體射頻電子器件。
電力電子領(lǐng)域
Power Electronics
電力電子的主流發(fā)展趨勢(shì)，更高的電壓、更大的電流、更高的效率、更小的體積、更高的可靠性，從單一的功率變換到“能源路由器發(fā)展”，需要以更快的速度、以更高的效率來(lái)處理更大功率的能源。
新型顯示領(lǐng)域
New Display Field
氮化鎵單晶：更小的尺寸、更高高分辨率，芯片波長(zhǎng)一致性，更小的漏電流，在小電流驅(qū)動(dòng)下更高的效率，同質(zhì)外延MicroLED技術(shù)通向“摩爾定律”之路。
全彩激光顯示
Full Color Laser Display
發(fā)光二極管（LED）具有照明效率高、色彩豐富、節(jié)能、使用壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、體積小、光源堅(jiān)固等一系列優(yōu)點(diǎn)。
高功率射頻器件
High Power RF Devices
在半導(dǎo)體激光器家族中，中紅外或近紅外激光器(830nm/1064nm)都是重要的組成部分，但是缺一名重要成員——短波（可見(jiàn)光）激光器，即藍(lán)、綠光波段的激光器。
高功率電子電力器件
High Power Electronic Power Devices
MESFET、HFET、MODFET、HBT；射頻功率晶體管；高頻MMIC；高電壓電子器件；高溫電子器件；混合信號(hào)GaN/Si集成。
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