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氮化鎵單晶襯底在射頻電子領(lǐng)域的應(yīng)用

氮化鎵單晶襯底在射頻電子領(lǐng)域的應(yīng)用

概要:
概要:
詳情
  • 基于GaN材料的射頻器件,具有高功率、高效率、耐高溫、抗輻照等優(yōu)勢,是迄今最理想的半導(dǎo)體射頻電子器件。
  • 基于氮化鎵單晶襯底的HEMT器件,為同時(shí)實(shí)現(xiàn)高頻率、寬頻譜、高效率、高功率密度、高可靠性提供解決方案。
  • 半絕緣氮化鎵,F(xiàn)e摻雜,C摻雜
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